11 月 21 日消息，日本瑞薩電子昨日宣布率先推出面向第二代 DDR5 MRDIMM（IT之家注：12800MT/s）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案，包含新款 MRCD、MDB、PMIC 芯片和配套的溫度傳感器與 SPD 集線器。
瑞薩表示，AI、HPC 和其它數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對(duì)內(nèi)存帶寬的要求不斷提高，這就需要新的 DDR5 MRDIMM。與目前 8800MT/s 的初代產(chǎn)品相比，下一代 DDR5 MRDIMM 可實(shí)現(xiàn) 35% 的內(nèi)存帶寬提升。
瑞薩此次推出了三款面向第二代 DDR5 MRDIMM 的全新關(guān)鍵組件，分別是多路復(fù)用寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（MRCD）芯片 RRG50120、多路復(fù)用數(shù)據(jù)緩沖器（MDB）芯片 RRG51020、PMIC 芯片 RRG53220。這三款芯片現(xiàn)已出樣，計(jì)劃 2025H1 投產(chǎn)。
瑞薩表示其第二代 MRCD 芯片 RRG50120 相較初代產(chǎn)品功耗降低 45%；而為 DDR5 MRDIMM 打造的第二代 PMIC 芯片 RRG53220 可提供出色的電氣過(guò)壓保護(hù)和卓越的能效，并針對(duì)高電流及低電壓操作進(jìn)行了優(yōu)化。
瑞薩高管 Davin Lee 表示：
AI 和 HPC 應(yīng)用對(duì)更高性能系統(tǒng)的需求持續(xù)增長(zhǎng)。瑞薩緊跟這一趨勢(shì)，與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者攜手開(kāi)發(fā)下一代技術(shù)及規(guī)范。這些公司依靠瑞薩提供的專業(yè)技術(shù)知識(shí)和生產(chǎn)能力來(lái)滿足日益增長(zhǎng)的需求。
我們面向第二代 DDR5 MRDIMM 的最新芯片組解決方案，體現(xiàn)了瑞薩在這一市場(chǎng)領(lǐng)域的卓越地位。