眾所周知，內(nèi)存的性能與其頻率息息相關(guān)，無論是廠商宣傳還是用戶實(shí)際使用階段，頻率都是大家所關(guān)注的重點(diǎn)。可實(shí)際上，影響內(nèi)存性能的不僅只有頻率，時(shí)序也是其中之一。不同時(shí)序之下，即使頻率相同，也可能會(huì)有不一樣的表現(xiàn)。
本期，我們以神凝PRO為例，為大家講解時(shí)序?qū)?nèi)存性能的影響。
超低時(shí)序，突破性能桎梏
神凝PRO乃神凝系列基礎(chǔ)之上，再次尋求性能突破之杰作。其不僅采用高品質(zhì)原廠內(nèi)存顆粒與十層PCB堆疊設(shè)計(jì)打造，更經(jīng)云彣（UniWhen®）全新時(shí)序優(yōu)化方案匠心調(diào)教，使之同時(shí)實(shí)現(xiàn)6400 MT/s高頻與CL28（28-38-38-102）超低時(shí)序，為每一位游戲玩家?guī)砀悠椒€(wěn)順滑的高幀體驗(yàn)。
什么是內(nèi)存時(shí)序
內(nèi)存時(shí)序（Memory Timings）指的是內(nèi)存模塊完成不同操作所需的時(shí)間間隔，通常以時(shí)鐘周期為單位。內(nèi)存時(shí)序的表示形式通常為一組四個(gè)數(shù)字，如神凝PRO的CL28-38-38-102。這四個(gè)數(shù)字分別代表內(nèi)存在執(zhí)行不同操作時(shí)所需的延遲：
- CL (CAS Latency): 第一位數(shù)字，表示內(nèi)存控制器發(fā)出讀取命令后，內(nèi)存芯片響應(yīng)并開始數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t。這個(gè)數(shù)字越小，內(nèi)存的響應(yīng)速度越快
- tRCD (RAS to CAS Delay): 第二位數(shù)字，表示從行地址選通（RAS）到列地址選通（CAS）之間的延遲。也就是從內(nèi)存芯片選中一行數(shù)據(jù)到選中列數(shù)據(jù)的時(shí)間。
- tRP (RAS Precharge Time): 第三位數(shù)字，表示關(guān)閉當(dāng)前內(nèi)存行并為下一行數(shù)據(jù)做準(zhǔn)備的延遲。
- tRAS (Active to Precharge Delay): 第四位數(shù)字，表示內(nèi)存行處于激活狀態(tài)的最小時(shí)間，在這段時(shí)間內(nèi)不能對(duì)該行進(jìn)行預(yù)充電。
內(nèi)存時(shí)序的影響
內(nèi)存時(shí)序直接影響到數(shù)據(jù)訪問的速度。如果內(nèi)存的時(shí)序較高（即數(shù)值較大），則每次數(shù)據(jù)讀取或?qū)懭氲臅r(shí)間會(huì)更長，系統(tǒng)的響應(yīng)時(shí)間和數(shù)據(jù)傳輸速度會(huì)受到影響。而低時(shí)序內(nèi)存（數(shù)值較小）則能更快地響應(yīng)命令，從而提升系統(tǒng)的整體性能。對(duì)于需要頻繁訪問內(nèi)存的游戲及其它應(yīng)用而言，低時(shí)序尤為重要。
在AIDA64內(nèi)存基準(zhǔn)測(cè)試中，神凝PRO對(duì)比同頻CL38（38-48-48-100）時(shí)序內(nèi)存性能提升明顯，讀取、寫入、拷貝等子項(xiàng)成績均有增幅。而延遲成績則更為亮眼，降幅達(dá)到8.78%。
左：神凝PRO 6400 CL28，右：6400 CL38
對(duì)內(nèi)存較為敏感的《絕地求生》游戲測(cè)試中，神凝PRO依舊延續(xù)強(qiáng)勢(shì)表現(xiàn)，在其助力下平均幀率提高12 FPS，1% LOW幀也有9 FPS提升。
