11 月 27 日消息，ISSCC 官網現已公布 2025 IEEE ISSCC 國際固態電路會議的日程，該會議將于明年 2 月 16 日~20 日在美國加州舊金山舉行。
包括英特爾 CEO 帕特?基辛格、三星電子 DS 部存儲器業務負責人李禎培在內的四位業內人士將在 17 日的全體會議上發表演講。帕特?基辛格將介紹 AI 領域各層級的一系列技術，李禎培則將聚焦各類 AI 存儲器及其發展。
在具體會議日程中，SRAM、非易失性存儲與 DRAM 專題均在 2 月 19 日舉行。
其中臺積電將介紹存儲密度達 38.1 Mb / mm2 的 2nm Nanosheet 制程 SRAM，英特爾也將展示采用 BSPDN 背面供電設計的 Intel 18A RibbonFET 工藝高密度 SRAM。
而在非易失性存儲與 DRAM 領域，各主題內容如下：
三星電子將帶來 28Gb / mm2 密度的 4XX 層堆疊 1Tb 容量 3D TLC NAND，該閃存采用晶圓鍵合技術，I/O 引腳速率達 5.6Gb/s（對應 5600MT/s），結合IT之家此前報道預計對應第 10 代 V-NAND。
鎧俠-西部數據聯盟將介紹 I/O 引腳速率 4.8Gb/s 的 1Tb 3D TLC NAND，該產品讀取操作能效提升了 29%。
在 GDDR7 方面，三星電子將介紹 42.5Gbps 的 24Gb 產品，應對應今年 10 月宣布成功開發的型號。
三星電子還將展出第 5 代 10nm 級（1bnm、12nm 級）工藝的超高速 16Gb LPDDR5-Ultra-Pro DRAM，這一產品的 I/O 引腳速率達 12.7Gb/s，較已量產的 10.7Gb/s 進一步提升。
而 SK 海力士則將帶來 75MB/s 編程吞吐量的 321 層（V9）2Tb QLC NAND，這一堆疊數量和單元結構的閃存此前已在今年 8 月的 FMS 2024 展會上亮相。
SK 海力士還將同鎧俠一同介紹雙方合作開發的新型 64Gb DDR4 STT-MRAM，該存儲器件結合了交叉點存儲和磁隧道節結構。